Experimental and Computational Characterization of Electronic Localized States in Polyethylene

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-087

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Experimental and Computational Characterization of Electronic Localized States in Polyethylene

著者名: 細淵柾志 (早稲田大学),荒井 友之(早稲田大学),謝 小軍(西安交通大学),成 永紅(西安交通大学),大木義路 (早稲田大学)

著者名(英語): Masashi Hosobuchi(Waseda Univesity),Tomoyuki Arai(Waseda Univesity),Xiaojun Xie(Xian Jiaotong University),Yonghong Cheng(Xian Jiaotong University),Yoshimichi Ohki(Waseda Univesity)

キーワード: 高分子|絶縁体|欠陥構造|フォトルミネセンス|量子化学計算|局在準位

要約(日本語): ポリエチレンフィルム(as)及びasを酸化させたフィルム(O)を用いて、光吸収を測定した。asでは1つの吸収ピークが、Oでは3つのピークが禁制帯内に現れる。C₂₈H₅₆及びC₂₈H₅₆にα, β-不飽和カルボニルを1つ導入したC₂₈H₅₂O、炭素間二重結合を1つ導入したC₂₈H₅₄、カルボニルを1つ導入したC₂₈H₅₄Oをそれぞれ単位とし、周期的境界条件により3次元的につないだ結晶構造をポリエチレンモデルとして、光吸収を量子化学計算より求めた。C₂₈H₅₂Oでは禁制帯内に吸収ピークが3つ現れる。C₂₈H₅₂Oの状態密度を計算すると禁制帯内にカルボニル由来の局在準位が2つ現れる。以上より、Oに現れる3つの吸収ピークのうちの2つはカルボニルに由来すると考えられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,149 Kバイト