Mo薄膜/Si基板を用いた四角い断面を持つMoO2ナノチューブの形成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-097

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Formation of MoO2 Nanotube With Rectangular Cross Section Using Mo/Si Substrate

著者名: 阿部俊三(東北工業大学)

著者名(英語): Toshimi Abe|Yoshizumi Kikuchi|Katsuhiro Oyama|Satoshi Kakisawa|Yusuke Sato|Hiroyuki Handa|Maki Suemitsu

キーワード: 四角い断面|MoO2ナノチューブ|燃焼炎|不活性ガス|電導体

要約(日本語): われわれは、独自に考案した、不活性ガスカーテン燃焼炎法による、ダイヤモンド成長実験を行ってきた。その実験の中で幸運にも、世界で初めて四角い断面を持つ二酸化モリブデンナノチューブを発見し報告してきた。 今回、Mo/Si基板を用いてナノチューブの形成を試みた結果、高均一・高密度で二酸化モリブデンナノチューブを形成することができた。本報告では、その成長方法と特性評価について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 787 Kバイト