P3HT/PCBM pin変形バルクヘテロ接合素子の太陽電池特性へのi層膜厚依存性の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-110

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): i-layer thickness dependence of photovoltaic characteristics in modified P3HT/PCBM pin bulk heterojunction solar cell

著者名: 菱沼 孝亮(鳥取大学),横野 洋希(鳥取大学),木村 康孝(鳥取大学),竹田 大作(鳥取大学),有岡 佑(鳥取大学),西川 昌宏(鳥取大学),村上 聡(鳥取大学),草野 浩幸(鳥取県産業技術センター),小林 洋志(鳥取大学),北川 雅彦(鳥取大学)

著者名(英語): Takaaki Hishinuma(Tottori University),Hiroki Yokono(Tottori University),Yasutaka Kimura(Tottori University),Daisaku Takeda(Tottori University),yu Arioka(Tottori University),Masahiro Nishikawa(Tottori University),Satoshi Murakami(Tottori University),Hiroyuki Kusano(Tottori Prefectural Industrial Technology Institute),Hiroshi Kobayashi(Tottori University),Masahiko Kitagawa(Tottori University)

キーワード: 有機薄膜太陽電池|バルクヘテロ接合|p-i-n型|i層膜厚依存性|P3HT/PCBM

要約(日本語): P3HT/PCBM p-i-n型BHJ構造におけるi層の厚膜化による光吸収，膜構造へのi層膜厚依存性を議論し，p-i-n-型素子のi層の厚膜化によるさらなる高効率化素子作製への可能性を示した．p-i-n型ではi型と比較し，P3HTによる光吸収帯のピーク波長が長波長側にシフトし，さらに吸収端での吸収強度も増加した．i層の厚膜化によりP3HTのピーク波長でほぼ100%の光吸収が可能であることを示した．XRD評価よりi層の積層回数が増加するに伴い2θ=5.4°のP3HTでの回折ピーク強度は線形的に増加した．半値幅は減少していく傾向が見られ，厚膜化とともにP3HTの結晶性すなわち分子の整列性が増大していくことが明らかになった．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,597 Kバイト