65nm標準プロセスを用いた高消光比偏光分析CMOSイメージセンサ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-117

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): A polarization-analyzing CMOS image sensor in 65nm standard CMOS technology

著者名: 若間範充 (奈良先端科学技術大学院大学),松岡 均(奈良先端科学技術大学院大学),安藤圭祐 (奈良先端科学技術大学院大学),野田 俊彦(奈良先端科学技術大学院大学),笹川 清隆(奈良先端科学技術大学院大学),徳田 崇(奈良先端科学技術大学院大学),太田 淳(奈良先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Norimitsu Wakama(Nara Institute of Science and Technology),Hitoshi Matsuoka(Nara Institute of Science and Technology),Keisuke Ando(Nara Institute of Science and Technology),Toshihiko Noda(Nara Institute of Science and Technology),Kiyotaka Sasagawa(Nara Institute of Science and Technology),Takashi Tokuda(Nara Institute of Science and Technology),Jun Ohta(Nara Institute of Science and Technology)

キーワード: 偏光イメージング|イメージセンサ|CMOSデバイス|メタルグリッド偏光子

要約(日本語): 偏光分析による光学活性体の計測は，非侵襲かつリアルタイム計測可能である．これまでに偏光分析CMOSイメージセンサを開発し，マイクロフローセルに統合可能な計測システムを実現した．本研究では，高感度偏光検出を目指し， 65-nm標準CMOSプロセスを用いた多様な角度の偏光子を搭載した偏光分析イメージセンサの設計と試作を行った．試作したセンサの消光比はグレーティングピッチが狭いほど高い消光比が得られ，メタルグリッド偏光子の特徴と一致する．本稿では設計，試作したイメージセンサの評価結果について報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 36,753 Kバイト