二軸容量型傾斜角センサのプロセスの開発と評価
二軸容量型傾斜角センサのプロセスの開発と評価
カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-121
グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集
発行日: 2012/03/05
タイトル(英語): Fabrication Process Development and Evaluation of Two-axis Tilt sensors
著者名: 劉 健男(早稲田大学),播磨 幸一(早稲田大学),高森 政聡(坂本電機製作所),植田 敏嗣(早稲田大学)
著者名(英語): Jiannan Liu(Graduate School of IPS,Waseda University),Koichi Harima(Graduate School of IPS,Waseda University),Masaaki Takamori(Sakamoto Electric Mfg. CO.,LTD),Toshitsugu Ueda(Graduate School of IPS,Waseda University)
キーワード: 二軸|傾斜角センサ|残留歪み|アニーリング|静電容量
要約(日本語): 本研究室では、水晶MEMS技術を応用して傾斜角0.0001°の高分解能を有する静電容量型の一軸傾斜角センサを開発してきた。我々は、これら一軸傾斜角センサ作製プロセスを応用して、二軸傾斜角の同時測定を可能にする静電容量型二軸傾斜角センサを開発した。本研究の目的は、二軸傾斜角センサにおいて問題となる電極部分の残留歪みに対し、アニーリング処理などを適用することでこれらの問題を解決し、安定したセンサ作製プロセスを確立することである。本報告では、二軸傾斜角センサの作製で生じる問題への対処法とその結果について報告する。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 2,156 Kバイト
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