Siドライエッチングを用いたタルボ干渉計用回折格子の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-133

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Fabrication of Diffraction Grating for Talbot interferometer using silicon deep reactive ion etching

著者名: 徳岡 篤(兵庫県立大学),矢代 航(東京大学),野田 大二(兵庫県立大学),服部 正(兵庫県立大学)

著者名(英語): Atsushi Tokuoka(University of Hyogo),Wataru Yashiro(The University of Tokyo),Daiji Noda(University of Hyogo),Tadashi Hattori(University of Hyogo)

キーワード: Siドライエッチング|電解金めっき|回折格子|狭所めっき

要約(日本語): 近年、X線位相イメージング手法が注目されており、この手法の1つであるタルボ干渉計には回折格子が必要である。この回折格子には線幅数μm高さ数十μmの高精度な微細高アスペクト比Au構造体が求められる。Siドライエッチング技術はSiを微細加工する事が可能であり、最小線幅100nmにおいても加工深さが数mmとなるSi構造体を作製できる。Siに低抵抗Siを用いて直接電解めっきを行い、作製したSi構造体の底部のみからAuが形成すれば回折格子に必要なAu構造体を作製できると考えられる。そこで、本研究ではSiドライエッチング技術を用いた回折格子作製プロセスを考案しピッチ5.3μm吸収体高さ40μmの回折格子の作製を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 945 Kバイト