キャリア移動度の温度依存性を考慮した半導体ガスセンサの過渡応答モデル

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-138

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): A Model of Transient Response of Semiconductor Gas Sensor Considering Temperature Dependency of Carrier Mobility

著者名: 藤本 晶(和歌山高専),喜多 正光(和歌山高専),加藤祐士郎 (和歌山高専)

著者名(英語): Akira Fujimoto(Wakayama National College of Technology),Masamitsu Kita(Wakayama National College of Technology),Yushirou Kato(Wakayama National College of Technology)

キーワード: ガスセンサ|過渡応答|シミュレーション|移動度|ガス識別

要約(日本語): 半導体ガスセンサをモデル化した過渡応答モデルを用いて，半導体ガスセンサの過渡応答に影響を与える要因を調べている。これまでセンサ内のキャリアの移動度を一定値として扱ってきたが，モデルをより現実に近づけるため，移動度の温度依存性を考慮して新たなモデルを構築した。その結果現実のセンサの応答との偏差平方和を従来の10%以下に減少させることができた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 751 Kバイト