4インチウエハ上へのNdFeB 磁性薄膜の形成
4インチウエハ上へのNdFeB 磁性薄膜の形成
カテゴリ: 全国大会
論文No: 3-158
グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集
発行日: 2012/03/05
タイトル(英語): NdFeB Spattering Technique on 4-inch Silicon Wafer
著者名: 藤田 孝之(兵庫県立大学),三木 省吾(兵庫県立大学),神田 健介(兵庫県立大学),前中一介 (兵庫県立大学),蒋 永剛(北京航空航天大学),上原 稔(日立金属),樋口 行平(科学技術振興機構)
著者名(英語): Takayuki Fujita(University of Hyogo),Shogo Miki(University of Hyogo),Kensuke Kanda(University of Hyogo),Kazusuke Maenaka(University of Hyogo),Yonggang Jiang(Beihang University),Minoru Uehara(Hitachi NeoMax Co.,Ltd),Kohei Higuchi(Japan Science and Technology Agency)
キーワード: NdFeB|磁性薄膜|スパッタリング|MEMSセンサ|環境発電デバイス
要約(日本語): 高性能な磁性体は,各種MEMS センサや環境発電デバイスなど多くの応用が期待されているが,MEMS 技術とのプロセス互換性の低さが問題であった。我々の先行研究では,NdFeBスパッタ技術を用い,微細加工されたシリコン基板への磁性膜埋め込み成膜と研磨プロセスとあわせることで,NdFeB 薄膜とMEMS デバイスの融合技術を確立している。本研究では,これまで小径試料への成膜に限られていたNdFeB スパッタを,MEMS バッチ生産可能な技術とするために,直径4インチ試料への対応を行ったので報告する。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 301 Kバイト
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