高速スイッチング時における過電圧を考慮した配線構造設計

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-071

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Design of Wiring Structure by Considering Overvoltage under High-Speed Switching

著者名: 安東正登 (首都大学東京),和田 圭二(首都大学東京)

著者名(英語): Masato Ando(Tokyo Metropolitan University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University)

キーワード: 高速スイッチング|寄生インダクタンス|ブスバー

要約(日本語): 電力変換回路の直流側配線構造に起因する寄生インダクタンスは過電圧の要因となり，特に高速スイッチング下では素子破壊を防ぐために低インダクタンス化が求められている。しかし寄生インダクタンスを考慮した定量的な配線構造設計法はこれまで提案されていないように思われる。本論文ではMOSFETの等価回路を用いた回路解析を行うことによって，寄生インダクタンスと過電圧およびMOSFETのターンオフ時のスイッチング速度の関係性について定量的に示す。その上で過電圧をMOSFETの電圧定格内に抑制する寄生インダクタンス設計を行う。またインダクタンスマップを用いて設計値を満たすような配線構造設計を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,377 Kバイト