1
/
の
1
負荷短絡補助回路を用いたMOSFETインバータのスイッチング損低減法
負荷短絡補助回路を用いたMOSFETインバータのスイッチング損低減法
通常価格
¥440 JPY
通常価格
セール価格
¥440 JPY
単価
/
あたり
税込
カテゴリ: 全国大会
論文No: 4-086
グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集
発行日: 2012/03/05
タイトル(英語): Switching Loss Reduction of MOSFET Inverter Using Auxiliary Circuit Shorting Load
著者名: 水野 知博(静岡大学),野口 季彦(静岡大学)
著者名(英語): Tomohiro Mizuno(Shizuoka University),Toshihiko Noguchi(Shizuoka University)
キーワード: MOSFET|高速スイッチング|ターンオン|ターンオフ|スイッチング損
要約(日本語): MOSFETインバータのスイッチング損を低減するためには,ターンオン時間およびターンオフ時間を短縮することが求められる。ターンオン時間はゲート入力容量を高速に充電することにより短縮することが可能であるが,ターンオフ時間はドレイン-ソース容量を充電する時間によって決定されるためドライブ回路側での制御が困難になる。そこで本稿では,ハーフブリッジインバータを例に挙げ,簡単な補助回路を用いることによりターンオフ時間を短縮し,スイッチング損を低減する手法について実機検証により運転特性を検証した。その結果,軽負荷時に最大8ポイントの高効率化を達成できることを確認した。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 667 Kバイト
受取状況を読み込めませんでした
