3.3kVSiC-SBDの試作評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-146

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Fabrication and Evaluation of 3.3kV SiC-SBDs

著者名: 渡邊 寛(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),中田 修平(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),中木 義幸(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),藤井 善夫(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),大塚健一 (三菱電機),川上 剛史(三菱電機),小山 皓洋(三菱電機),今泉 昌之(三菱電機),豊田 吉彦(技術研究組合 次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構),炭谷 博昭(三菱電機)

著者名(英語): Watanabe Hiroshi(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Nakata Shuhei(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Nakaki Yoshiyuki(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Fujii Yoshio(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Otsuka Kenichi(Mitsubishi Electric Corporation),Kawakami Tsuyoshi(Mitsubishi Electric Corporation),Koyama Akihiro(Mitsubishi Electric Corporation),Imaizumi Masayuki(Mitsubishi Electric Corporation),Toyoda Yoshihiko(R&D Partnership for Future Power Electronics Technology),Sumitani Hiroaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 炭化珪素|ショットキーバリアダイオード|リカバリー特性

要約(日本語): 耐圧3.3kVのSiC-SBDの試作を行い、順方向IV特性、リカバリー特性について評価した。チップサイズは8.72mm×8.91mmである。順方向IV特性では温度25℃と150℃のいずれにおいても良好な直線性を示し、例えば電流60Aにおける順方向電圧はそれぞれ1.9Vと3.6V、微分抵抗率は7.5mΩcm2と22mΩcm2であった。IGBTと組み合わせたハーフブリッジ回路において、インダクタンス負荷時のリカバリー特性を耐圧3.3kVのSi-pn ダイオードと比較した。スイッチング時のdi/dtは610A/μsである。リカバリー波形を見ると、Si-pnダイオードには大きなリカバリー電流が観測されるが、SiC-SBDには見られず、スイッチング損失の低減が期待できることがわかった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 736 Kバイト