新開発GaN HEMTのスイッチング特性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-149

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Switching Characteristic of a Newly Developed GaN HEMT

著者名: 石橋 卓治(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Takaharu Ishibashi(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Masayuki Okamoto(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Eiji Hiraki(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Toshihiko Tanaka(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University,JST,CREST),Tamotsu Hashizume(Reseach Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University,JST,CREST),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,JST,CREST)

キーワード: GaN HEMT|ゲートドライブ回路|高周波スイッチング|昇圧チョッパ回路|ノーマリオン|スイッチング特性

要約(日本語): 現在，パワーデバイスとして広く用いられている Si (Sillicon) 系のデバイスは材料物性上これ以上の性能向上は困難になりつつある。そこで，近年，Si 系デバイスの性能を上回ることが可能とされているワイドバンドギャップ半導体を用いたパワーデバイスが注目されている。本論文では，新開発 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor) を用いて昇圧チョッパ回路を構成し，高速スイッチングが可能であることを確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 879 Kバイト