新開発GaN HEMTを用いたインバータ回路

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-150

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): An Inverter with Newly Developed GaN HEMTs

著者名: 豊田 玄紀(山口大学),岡本 昌幸(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Genki Toyoda(Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Yamaguchi University),Tamotsu Hashizume(Hokkaido University),Tetsu Kachi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS.,INC)

キーワード: GaN|ゲートドライブ回路|インバータ回路|パワー半導体|ワイドバンドギャップ

要約(日本語): 低損失かつ高速動作可能なパワー半導体として，ワイドバンドギャップ半導体であるガリウムナイトライド(GaN) が注目されている(1)。本論文では，試作したGaN 横型トランジスタとGaN SBD(Schottky Barrier Diode) を用いて，インバータの作成および動作確認を行ったので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 602 Kバイト