高耐圧SiCモジュールの単パルス電流遮断性能評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-152

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): Investigation on Single Pulse Turn-off Performance of High Blocking Voltage SiC Power Module

著者名: 田中 篤嗣(関西電力),中山 浩二(関西電力),泉 徹(関西電力),三柳洋一 (関西電力),浅野 勝則(関西電力)

著者名(英語): Atsushi Tanaka(Kansai Electric Power Co.,Inc.),Koji Nakayama(Kansai Electric Power Co.,Inc.),Toru Izumi(Kansai Electric Power Co.,Inc.),Yoichi Miyanagi(Kansai Electric Power Co.,Inc.),Katsunori Asano(Kansai Electric Power Co.,Inc.)

キーワード: SiC|サイリスタ

要約(日本語): 高効率・大容量インバータへの適用が期待されるSiCモジュールの単パルス電流遮断性能を評価した。ゲート部の低抵抗化、高耐圧化を図った10 mm角のSiCGT（SiC Commutated Gate turn-off Thyristor）素子で、ターンオフ時のオフゲート電圧を高く設定して転流時間を短縮するとともに、電子線照射により電流遮断速度の向上を図り、スイッチング損失を低減し、100 ℃から250 ℃の広い温度範囲において500 Aの単パルス電流遮断を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 281 Kバイト