SiC製DMOSFETを用いた絶縁型フライバックコンバータの1MHzスイッチング動作

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-158

グループ名: 【全国大会】平成24年電気学会全国大会論文集

発行日: 2012/03/05

タイトル(英語): An isolated flyback converter with 1MHz switching operation using SiC-DMOSFET

著者名: 佐藤宣夫 (京都大学),文野 貴司(京都大学),大嶽 浩隆(ローム),中村 孝(ローム),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Nobuo Satoh(Kyoto University),Takashi Fumino(Kyoto University),Hirotaka Otake(ROHM),Takashi Nakamura(ROHM),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: 高周波スイッチング|絶縁ゲートドライブ|シリコンカーバイド|パワーMOSFET|電力変換

要約(日本語): 絶縁ゲートドライブによるフライバックコンバータを作製し，1MHzでのスイッチング動作を達成した．その際，広帯域の絶縁ゲートドライバを選定，特注のパルストランスのほか，研究供与される大電流・耐電圧のSiC製MOSFET(900V/10A)を用いて，その工学的応用を図っている．また回路内各部の電圧・電流の6チャンネル同時観測を行い，詳細な現象の検証ならびに電力変換効率を算出した．得られた電力変換効率は71%程度であり，まだ充分ではないが，電源回生型スナバ回路やソフトスイッチング技術の導入により，その改善が期待できる．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,285 Kバイト