逆解析による感光体表面における1ドット電気潜像の再構成

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-100

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Identification of 1-dot Latent Image Potential on Photoconductor by Inverse Analysis

著者名: 香取 秀祐(東京工業大学),天谷 賢治(東京工業大学)

著者名(英語): Shusuke Katori(Tokyo Institute of Technology),Kenji Amaya(Tokyo Institute of Technology)

キーワード: 逆解析|CT法|感光体|表面電位

要約(日本語): 近年，複写機やプリンタでは写真や絵など高画質のものを出力する機会が増え，高画質化に対する要求が高まっている．電子写真方式では画像を小さなドットの集合によって表現しているが，電気潜像を形成する際，1ドット領域においても感光体の性質から表面電位分布に拡がりが発生する．そこで，高画質化のために感光体表面の1ドット領域での表面電位分布を評価する技術が必要であると考えられている．そこで本研究では，CT法の原理を適用し，線状電極を用いて，簡便，高速かつ高精度に感光体表面における1ドット静電潜像(2次元電位分布)を測定する手法を提案する．本報告では提案手法の原理と実験による解析例について報告する．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 689 Kバイト