間接遷移型Si半導体の明瞭な発光とその観察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-121

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Observation of distinct light emission in devices made from indirect transition type semiconductor Si

著者名: 小西 亮平(香川大学),藤田 順一(香川大学),岡本 研正(香川大学)

著者名(英語): Ryohei Konishi(Kagawa University),Junichi Fujita(Kagawa University),Kensho Okamoto(Kagawa University)

キーワード: Si半導体|発光観察|間接遷移型半導体|Siフォトダイオード|Siトランジスタ|Siツェナーダイオード

要約(日本語): 元素半導体であるSiとGeは、ガリウムひ素（GaAs）やガリウム窒素（GaN）等の直接遷移型半導体とは異なり、電気伝導が間接遷移型半導体であるため発光しないと考えられている。なお例外として、ポーラスシリコン・ポーラスゲルマニウムの発光現象、ナノシリコン粒子の低温発光、量子井戸構造の発光素子などがある。ところが、香川大学の岡本研正教授は1989年にLED対LEDの双方向光空間通信を研究しているときに、Siフォトダイオード対Siフォトダイオードでも双方向光通信が可能なことを発見した。しかし、当時は高感度の近赤外線カメラがなかったため、その発光を観察することができなかった。本研究ではオリジナルな近赤外光観察装置を開発し、従来発光しないとされてきたSi半導体が近赤外域で発光しているという事実について述べる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 492 Kバイト