半導体封止用ゲル中におけるボイド残留の一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-052

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): The residual of voids in gel-filling for semiconductors

著者名: 佐藤 正寛(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学),山城 啓輔(富士電機),早瀬 悠二(富士電機),高野 哲美(富士電機)

著者名(英語): Masahiro Sato(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),kunihiko Hidaka(The University of Tokyo),Keisuke Yamashiro(Fuji Electric Co.,Ltd),Yuji Hayase(Fuji Electric Co.,Ltd),Tetsumi Takano(Fuji Electric Co.,Ltd)

キーワード: シリコーンゲル|半導体|ボイド|部分放電

要約(日本語): 各種電気電子機器基板には封止材や固定剤としてシリコーンゲルが使用され、小型化や高密度化に伴い、その高耐圧化が期待されている。封止材を適用した絶縁技術において、しばしば問題となるのは、隙間に入りきれない空隙を形成する点である。特に高電界となる三重点を形成する部位(電極-基板-ゲル界面)は電界強度が大きいため、空隙が発生した場合に部分放電の起点となると考えられている。従って今回は微小空孔モデルを活用し、ゲル封止時における空隙形成に関して検討し、同時に模擬的空隙を用いた実験による検証を行った。結果理論、実験双方において空隙の大きさが大きいほどゲル封止時に空隙が残りやすいことがわかった。今後は定量的議論を進めるためより詳細な測定を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 415 Kバイト