レーザアニールによるZnO薄膜の結晶性改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-077

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Improvement of ZnO films crystallization by laser annealing method

著者名: 生井 宏樹(日本大学)

著者名(英語): Hiroki Namai(Nihon University)

キーワード: レーザアニール|結晶性|赤外光

要約(日本語): 酸化亜鉛(ZnO)は六方ウルツ鉱の結晶構造を持ち、その特性は室温でバンドギャップ: 3.37 eVを示し、励起子束縛エネルギーが60 meVのためLEDの代替資源として期待されている。しかし、ZnOの結晶成長技術が不完全であるため酸素欠損が起こり、結晶に欠陥ができるため未だデバイス化には至ってない。結晶性のために赤外光支援PLD法を用いてZnO薄膜を成膜後、空気中でレーザアニールを266と355, 532,1064 nmと変化させて行っていき酸化亜鉛の結晶改善を評価した。評価方法はX線回折を行い結果は532 nmよりも短い波長でアニールすると不純物が消失し結晶性が改質された。一番短波長な266 nmでのアニールは結晶子も大きくなり、今回の測定で最も改質された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 405 Kバイト