近接昇華法によるサファイア基板上のAgGaTe2の成長

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-078

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル：近接昇華法によるサファイア基板上のAgGaTe₂の成長

タイトル(英語): Growth of AgGaTe₂ on Sapphire by Closed Space Sublimation

著者名: 宇留野 彩(早稲田大学),薄井 綾香(早稲田大学),中田 和輝(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Aya Uruno(Waseda University),Ayaka Usui(Waseda University),Kazuki Nakada(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|カルコパイライト|極点図

要約(日本語): 近年カルコパイライト構造を持つI-III-VI2族化合物半導体は新しいデバイス用材料として注目を集めている。その中でもAgGaTe2は室温におけるバンドギャップが1.3eVであることから太陽電池応用に適した物性をもっている。AgGaTe?2の堆積は近接昇華法を用いた。前回の電気学会では、近接昇華法を用いてSi(111)基板上にAgGaTe2の堆積を報告した。しかし太陽電池応用を考えた場合、ガラス等の透明な基板上に堆積させるのが一般的である。よって透明な基板上に近接昇華法でAgGaTe2を作製し、その特性について検討を行った。よって本研究では、サファイアc面基板上でのAgGaTe2成長と、加熱ステップと保持ステップのどちらが膜厚制御に重要なパラメータであるかの2つの検討を行った。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 498 Kバイト