近接昇華法によるCuGaTe2の成長

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-079

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル：近接昇華法によるCuGaTe₂の成長

タイトル(英語): Growth of CuGaTe₂ by Closed Space Sublimation Technique

著者名: 薄井 綾香(早稲田大学),宇留野 彩(早稲田大学),中田 和輝(早稲田大学),小林 正和(早稲田大学)

著者名(英語): Ayaka Usui(Waseda University),Aya Uruno(Waseda University),Kazuki Nakada(Waseda University),Masakazu Kobayashi(Waseda University)

キーワード: 近接昇華法|カルコパイライト

要約(日本語): 近年、光吸収が強く薄膜でよいため太陽電池作製に適しているカルコパイライト系I-III-VI₂族化合物半導体が注目されている。我々は従来、その中でもAgGaTe₂に着目し、近接昇華法を用いて高品質で組成が保たれた膜を作製することに成功している。そこで今回、他のTeを含むカルコパイライト系化合物半導体として、Agと比べて安価で多量に存在するCuを構成要素に含むCuGaTe₂に着目した。CuはAgよりも蒸気圧が低いため、CuGaTe₂堆積にはAgGaTe₂の場合よりも高温が必要となることが予想される。またTeは他2つの元素に比べてかなり高い蒸気圧を持つため、堆積後に基板から再離脱する割合が高いと考えられるため、ソースにTeを添加しておくことが有効と考えられる。したがってソースにおけるTeの割合の最適化についても検討した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 424 Kバイト