水素吸蔵効果を利用した固有ジョセフソントンネルデバイスの新規作製法

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-081

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Advanced process for fabrication of intrinsic Josephson junction by hydrogen-absorption effect

著者名: 田中 博美(米子工業高等専門学校),吉川 英樹(物質,材料研究機構),岸田 悟(鳥取大学)

著者名(英語): Hiromi Tanaka(Yonago National College of Technology),Hideki Yoshikawa(National Institute for Materials Science),Satoru Kishida(Tottori University)

キーワード: 水素吸蔵効果|高温超伝導体|固有ジョセフソン接合

要約(日本語): 固有ジョセフソントンネルデバイス(IJJデバイス)は，高温超伝導体を用いたSQUIDや量子ビットを実現できるポテンシャルを有する．そのため近年，再び注目を集めている．しかしながら，IJJデバイスを作製法するためには一般に，イオン注入やイオンビームエッチングなど複雑かつ高価な技術を必要とする．そこで本研究では，IJJデバイスを簡便かつ安価に作製する方法を提案した．具体的にはIJJを結晶構造内に有するBi系高温超電導体に“水素還元処理”を施した．そして，意図的に超電導特性を部分劣化させることで電流経路を偏向させた．これによりIJJデバイスの簡易作製に成功した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 383 Kバイト