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集束イオンビームGa+注入によるダイヤモンド状炭素ダイオードの作製
集束イオンビームGa+注入によるダイヤモンド状炭素ダイオードの作製
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カテゴリ: 全国大会
論文No: 2-082
グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集
発行日: 2013/03/05
タイトル(英語): Development of Diamond Like Carbon diode by Focused Ga+ Ion Beam injection
著者名: 中條厚作 (日本大学),高原 祐介(日本大学),胡桃 聡(日本大学),鈴木 薫(日本大学)
著者名(英語): Kosaku Chujo(Nihon University),Yusuke Takahara(Nihon University),Satoshi Kurumi(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)
キーワード: 集束イオンビーム|ショットキーダイオード|ダイヤモンドライクカーボン
要約(日本語): DLC(Diamond Like Carbon)の構造は通常水素を若干含有した非結晶(アモルファス)構造でダイヤモンド結合やグラファイト結合などを持っている。このDLCに不純物としてⅢ属元素であるGaイオンを集束イオンビーム装置により注入する事で導電性を付加することが可能である。我々は、Gaイオンを注入したDLCとPt電極との間の界面のI-V特性はオーミック特性を示し、Al電極の場合ダブルショットキー特性を示すことを過去に報告している。今回の報告では、これらの金属を組み合わせ、ショットキーダイオードの製作を試みた。その結果、Gaイオンを注入したDLCと金属との間の界面のI-V特性は、金属がPtとAlの場合整流作用が見られた。
原稿種別: 日本語
PDFファイルサイズ: 346 Kバイト
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