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高圧水素プラズマによる化学輸送を用いたSiC薄膜の低温合成

高圧水素プラズマによる化学輸送を用いたSiC薄膜の低温合成

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-094

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Low-temperature synthesis of SiC film by plasma enhanced chemical transport in high-pressure hydrogen atmosphere

著者名: 大参宏昌 (大阪大学),垣内 弘章(大阪大学),安武 潔(大阪大学)

著者名(英語): Hiromasa Ohmi(Osaka University),Hiroaki Kakiuchi(Osaka University),Kiyoshi Yasutake(Osaka University)

キーワード: 太陽電池|プラズマ|水素|薄膜|SiC

要約(日本語): 本研究では、危険で高価な原料ガスを一切用いる事無く、Si等の機能材料薄膜をソフトな化学反応により形成することが可能な大気圧プラズマ化学輸送法(Atmospheric pressure Plasma Enhanced Chemical Transport: APECT)により、廉価で安全な固体原料を用いたAPECT法により、SiC薄膜を形成し、その特性を調べた。焼結SiC原料から350oC以下の基板温度で微結晶SiCが形成できた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 311 Kバイト

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