Siイオンを注入したシリコン熱酸化膜におけるナノSi形成の制御

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-095

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Controlled growth of Si nano-crystals in Si-implanted thermal oxide

著者名: 村上 了太(芝浦工業大学),西川 宏之(芝浦工業大学),石井 保行(日本原子力研究開発機構),神谷 富裕(日本原子力研究開発機構)

著者名(英語): Ryota Murakami(Shibaura Institute of Technology),Hiroyuki Nishikawa(Shibaura Institute of Technology),Yasuyuki Ishii(Japan Atomic Energy Agency),Tomihiro Kamiya(Japan Atomic Energy Agency)

キーワード: ナノシリコン|シリコン熱酸化膜|イオン注入|発光

要約(日本語): 本研究の目的は、Si熱酸化膜中のナノSiの形成とその制御である。ナノSi密度やサイズに関する成長を、熱処理やビーム照射により制御することを目的としてイオン注入量依存性および熱処理条件依存性を調べた。イオン注入量が7E16cm-2程度の注入量において、急速熱処理および通常の熱処理を組み合わせることで高いナノSi生成効果が認められた。熱処理以外にも陽子線照射などの効果を調べ、ナノSi生成の制御を行う。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 252 Kバイト