電磁界シミュレーションにおける反磁界による強磁性共鳴周波数シフト

カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-126

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): FMR Frequency Shift by Demagnetizing Field through Electromagnetic Simulation

著者名: 室賀 翔(東北大学),浅妻裕己 (東北大学),山口 正洋(東北大学)

著者名(英語): sho muroga(Tohoku University),yuki asazuma(Tohoku University),masahiro yamaguchi(Tohoku University)

キーワード: 電磁両立性|磁性薄膜電磁ノイズ抑制体|強磁性共鳴|反磁界|磁気回路解析|電磁界シミュレーション

要約(日本語): ICチップ上の誘導性結合を抑制する新規デバイスの一つとして，磁性薄膜電磁ノイズ抑制体が提案されている．これまで筆者らは，強磁性共鳴(FMR)損失の中心周波数は，基本的に磁性薄膜固有のFMR周波数に等しく，副次的に配線と磁性薄膜との幾何学的配置および寸法で定まる反磁界によって高周波側へシフトする機構を明らかにしている．ここで，磁性体の共鳴および比透磁率はLandau-Lifshitz-Gilbert方程式より導出される．一方，反磁界はMaxwell方程式で定義される．このため，比透磁率の周波数特性を，磁性体の材料定数として入力し、電磁界シミュレーションを行うことでFMR周波数のシフトは，解析可能であると考えられる．本論文では，磁気回路を用いて上述の議論の妥当性を考察した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 356 Kバイト