高Q値単結晶4H-SiCマイクロカンチレバー

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-122

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Single-Crystalline 4H-SiC Micro Cantilevers with a High Quality Factor

著者名: 足立 亘平(京都大学),渡辺 直樹(京都大学),岡本 創(NTT物性科学基礎研究所),山口 浩司(NTT物性科学基礎研究所),木本 恒暢(京都大学),須田 淳(京都大学)

著者名(英語): Kohei Adachi(Kyoto University),Naoki Watanabe(Kyoto University),Hajime Okamoto(NTT Basic Research Laboratories),Hiroshi Yamaguchi(NTT Basic Research Laboratories),Tsunenobu Kimoto(Kyoto University),Jun Suda(Kyoto University)

キーワード: カンチレバー|SiC|共振|Q値|MEMS

要約(日本語): 電気化学エッチングによるpn選択的エッチングおよび熱酸化を用いて単結晶4H-SiCカンチレバーを作製した。作製したカンチレバーの共振特性の測定では鋭い共振ピークが観測され、共振周波数は1次、2次ともにシミュレーションの結果と一致した。また共振のQ値は最大で230,000という非常に高い結果を得た。比較のために、SiC MEMSの主流であるSi基板上3C-SiCカンチレバーを作製し評価した結果、Q値は同様の寸法のもので18,000であり、単結晶4H-SiCカンチレバーは3C-SiCカンチレバーより10倍高いQ値を示した。これより、単結晶4H-SiCは高感度センサ応用などが期待できる優れたMEMS材料であると言える。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 583 Kバイト