超並列電子線描画のためのLSI集積化ピアース型面電子源アレイの作製法の基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-127

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Primary Study of Fabrication Process of LSI-Integrated Pierce-Type Surface-Electron-Emitter Array for Massive Parallel Lithography

著者名: 西野 仁(東北大学),吉田 慎哉(東北大学),小島 明(クレステック),池上 尚克(東京農工大学),越田 信義(東京農工大学),田中 秀治(東北大学),江刺 正喜(東北大学)

著者名(英語): Hitoshi Nishino(Tohoku University),Shinya Yoshida(Tohoku University),Akira Koshima(CRESTEC CORPORATION),Naokatsu Ikegami(Tokyo University of Agriculture and Technology),Nobuyoshi Koshida(Tokyo University of Agriculture and Technology),Shuji Tanaka(Tohoku University),Masayoshi Esashi(Tohoku University)

キーワード: MEMS|ナノ結晶シリコン面電子源|LSI集積化

要約(日本語): 本研究は，超並列電子線描画システムのためのピアース型ナノ結晶シリコン面電子源アレイを開発することを目的とする。本システムでは，MEMS技術によって作製された微小面電子源アレイはLSIと集積化されており，個々の電子源はアクティブマトリクス駆動される。シリコン曲面への面電子源の形成プロセスやLSIとの低温接合プロセス，引き出し電極の作製プロセスといった要素技術の基礎検討を行った。その結果，直径約60um,ピッチ100um,100×100のピアース型面電子源アレイの試作に成功した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 306 Kバイト