節付きBoschプロセスによるシリコン3層構造の作製

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-132

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Triple-layered silicon structure fabrication by continuous switching process between anisotropic and isotropic dry etching

著者名: 北村 彰男(京都大学),平井 義和(京都大学),菅野 公二(京都大学),土屋 智由(京都大学),田畑 修(京都大学)

著者名(英語): Akio Kitamura(Kyoto University),Yoshikazu Hirai(Kyoto University),Koji Sugano(Kyoto University),Toshiyuki Tsuchiya(Kyoto University),Osamu Tabata(Kyoto University)

キーワード: ドライエッチング|積み重ね構造|高感度化|MEMS|静電容量式|加速度センサ

要約(日本語): 我々はシリコンの静電容量式MEMS加速度センサを高感度化する手法として，節付きBoschプロセスで作製される新奇な「積み重ね」構造を提案する．本発表では2つの節があるBoschプロセスにより30 μmの深堀加工を行い，三層構造を作製した結果について報告する．節付きBoschプロセスとはBoschプロセスによる異方性エッチングと数十秒間の等方性エッチングを交互に用いるプロセスであり，櫛歯型電極や支持梁は等方性エッチングステップで各層に切り分けられる．櫛歯型電極に見立てた4 μmのライン＆スペースパターンは等方性エッチングステップにより切り分けることができた．「積み重ね」構造の作製時，2層目上部に生じる損傷を防止する方策についても見出した．

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 453 Kバイト