SOI-MEMS支持部構造における反りの解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-154

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Warp analysis of an SOI-MEMS supporting structure

著者名: 大村 義輝(豊田中央研究所),藤吉 基弘(豊田中央研究所),野々村 裕(豊田中央研究所),明石 照久(豊田中央研究所),船橋 博文(豊田中央研究所),畑 良幸(豊田中央研究所)

著者名(英語): Yoshiteru Omura(MEMS Device Laboratory),Motohiro Fujiyoshi(MEMS Device Laboratory),Yutaka Nonomura(MEMS Device Laboratory),Teruhisa Akashi(MEMS Device Laboratory),Hirofumi Funabashi(MEMS Device Laboratory),Yoshiyuki Hata(MEMS Device Laboratory)

キーワード: SOI|有限要素法|加速度|角速度|センサ|反り

要約(日本語): SOI(Silicon on Insulator)基板を用いた慣性力センサの開発において、電極支持に用いられるビーム構造体が上方に反り、傾斜する現象が見られた。この傾斜の発生により、基板に対する電極間隙が変化し、基板との間の静電容量が変化する。 本研究では、犠牲層エッチングによって下部の中間酸化膜を除去したビーム構造体の傾斜量を実験で測定し、FEMで解析した。この結果、構造体が基板から浮くと、圧縮歪みの開放により上層シリコンが収縮変形する。この収縮変形が反りの発生要因であることを明らかにした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 326 Kバイト