ホール素子出力の応力依存性評価用テスト素子の温度特性測定

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-169

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Measurements of Temperature Characteristics of Test Devices for Evaluating Stress Dependence of Hall Element

著者名: 庄司 真弘(千葉工業大学),室 英夫(千葉工業大学),浜島 美央(TDK-EPC)

著者名(英語): Masahiro Shoji(Chiba Institute of Technology),Hideo Muro(Chiba Institute of Technology),Mio Hamashima(TDK-EPC Corporation)

キーワード: ホール素子|片持ち梁|応力依存性|温度特性|SOI-MEMS

要約(日本語): ホール素子は信号処理回路を集積化したIC化が容易だが、高感度センサを実現するために信号増幅度を上げた場合には、実装応力により感度とオフセットに大きな誤差を生じる可能性がある。本研究ではホール素子に応力を印加するための専用のテスト素子をSOI-MEMS技術を用いて設計・試作し、その評価を行なった。評価はコイルの上部にテスト素子をダイボンドしたパッケージを載せそれらに挟み込む形でヒータを配置するような装置を用いた。磁界に対する感度Sは応力印加とともに増加しその係数は0.15%/MPaとなり、100℃時の感度は20℃時の感度に比べ約11%減少する形となった。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 343 Kバイト