放射線測定用CMOSアバランシェフォトダイオードのための温度補償回路の開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-170

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Development of Temperature Compensation Circuit for CMOS Avalanche Photodiode in Radiation Measurement.

著者名: 南川 真生(慶應義塾大学),藤代 瞬也(慶應義塾大学),松本 佳宣(慶應義塾大学)

著者名(英語): Manabu Minamikawa(Keio University),Syunya Fujishiro(Keio University),Yoshinori Matsumoto(Keio University)

キーワード: 放射線測定|アバランシェフォトダイオード|温度補償回路

要約(日本語): 放射線センサ等に用いられるアバランシェフォトダイオードは逆バイアスを印加することで, 光電効果により発生した電子を増幅させることができるが, その増倍率は温度により違いが生じる。増幅率を一定に保つためには, 逆バイアスを温度変化に対し線形に変化させる必要がある。そこで絶対温度に比例する電圧を発生させるProportional To Absolute Temperature (PTAT) 電圧源を作成した。また, その作成した回路が電源電圧0.9mVで駆動し, 出力電圧が温度係数1.36mV/℃で線形に変化していることを確認した。この回路の利点はMOSFETの拡散電流の温度特性を利用しているので低消費電流な回路が実現できる点, またNMOSのみで構成されているのでAPDと共にCMOSプロセスでのワンチップ化が可能であるという点が挙げられる。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 557 Kバイト