ひずみセンサ用Cr-N薄膜におけるゲージ率の等方性

カテゴリ: 全国大会

論文No: 3-172

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Isotropy of Gauge Factor on Cr-N Thin Films for Strain Sensors

著者名: 丹羽 英二(電磁材料研究所),佐々木 祥弘(電磁材料研究所),小野寺 隆視(電磁材料研究所)

著者名(英語): Eiji Niwa(Research Institute for Electromagnetic Materials),Yoshihiro Sasaki(Research Institute for Electromagnetic Materials),Takashi Onodera(Research Institute for Electromagnetic Materials)

キーワード: ひずみセンサ|Cr-N薄膜|ゲージ率

要約(日本語): Cr-N薄膜は感度が従来品の5倍と大きく、温度感度がほぼゼロという優れた特性を持つことから、次世代ひずみセンサ材料として期待されている。著者らはこれまで、通常のひずみゲージがひずみに垂直な方向で感度を持たないのに対し、Cr-N薄膜は平行な方向と同程度の大きな横感度を持つことを明らかにした。本研究では、その横感度を含むひずみ感度への素子形状の影響を調べ、Cr-N薄膜のひずみ感度（ゲージ率）が等方性であることを明らかにした。その結果を報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 266 Kバイト