SiC-MOSFETを用いた750 V, 90 kW, 20 kHz双方向絶縁型DC/DCコンバータ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-012

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): A 750-V, 90-kW, 20-kHz Bidirectional Isolated DC/DC Converter Using SiC-MOSFETs

著者名: 山岸 達也(東京工業大学),Mbugua Moses Muhoro (東京工業大学),長谷川 一徳(東京工業大学),赤木 泰文(東京工業大学),木ノ内 伸一(三菱電機),宮崎 裕二(三菱電機)

著者名(英語): Tatsuya Yamagishi(Tokyo Institute of Technology),Moses/Muhoro Mbugua(Tokyo Institute of Technology),Kazunori Hasegawa(Tokyo Institute of Technology),Hirofumi Akagi(Tokyo Institute of Technology),Shin-ichi Kinouchi(Mitsubishi Electric Corporation),Yuji Miyazaki(Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 双方向絶縁型DC/DCコンバータ|SiC-MOSFET

要約(日本語): 次世代電力変換システムのコア回路として, 2 台のフルブリッジコンバータを用いた双方向絶縁型DC/DC コンバータが注目されている。本論文では1.2-kV, 400-A SiC-MOSFET を用いて750 V, 90 kW, 20 kHz 双方向絶縁型DC/DC コンバータを設計・製作し, 特性を評価した。出力電力60 kW において最高効率は98.3% に達した。定格運転時(90 kW) の変換効率は97.7% であった。また16 kW?90 kW(定格電力に対して18%?100%) の領域において変換効率95% 以上を実現した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 368 Kバイト