インバータのスイッチング素子構成を考慮した導通損失解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-027

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Analysis of Conduction Losses in the Inveter Considering the Composition of the Switching Devices

著者名: 丸田 竜一郎(千葉大学),大久保 昌博(千葉大学),佐藤之彦 (千葉大学)

著者名(英語): Ryuichiro Maruta(Chiba University),Masahiro Okubo(Chiba University),Yukihiko Sato(Chiba University)

キーワード: 導通損失|高スイッチング周波数インバータ|SiC-MOSFET|IGBT

要約(日本語): インバータには小型軽量化や波形改善などが求められ，このためにスイッチング周波数の高速化が有効である。現在，多くのインバータにはIGBTが使用されているが，近年SiCのような次世代大容量高速スイッチング素子に関する研究も盛んであり，今後はMOSFETを用いた高スイッチング周波数インバータも拡大すると考えられる。導通損失はスイッチング周波数によらず，一定の割合で発生するため，総合損失からスイッチング損失を分離・評価する上で重要な要素となる。以上より，本研究では高スイッチング周波数動作を想定した導通損失解析を行うことにより，使用する素子に対する導通損失を定量的に見積もることとした。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 396 Kバイト