3レベルのマルチレベル方式の半導体素子に発生する損失に対する一考察

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-041

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): A consideration of power semiconductor loss of three-level multilevel topologies

著者名: 樫原有吾 (長岡技術科学大学),伊東淳一 (長岡技術科学大学)

著者名(英語): Yugo Kashihara(Nagaoka University of Technology),Jun-ichi Itoh(Nagaoka University of Technology)

キーワード: マルチレベル変換器|インバータ|損失解析

要約(日本語): 先行研究において，様々なマルチレベル変換器の回路トポロジーが提案，検討されている。すべてのマルチレベル変換器は，2つのスイッチと1つのキャパシタをセルとして構成される一般的なマルチレベル方式から派生している。そのため，スイッチに発生する損失もスイッチングパターンが同じであれば法則性があると考えられる。本論文では第1段階として，6つの3レベル方式に発生する損失を回路の特徴ごとに分類し考察する

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 310 Kバイト