SiC－MOSFETを用いた産業用10kWパワーコンディショナのリアクトル損失

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-086

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Reactor Loss of 10kW Power Conditioner for Industry with SiC-MOSFET

著者名: 駿河 賢人(芝浦工業大学),齋藤 真(芝浦工業大学)

著者名(英語): Kento Suruga(Shibaura Institute of Technology),Makoto Saito(Shibaura Institute of Technology)

キーワード: SiC|パワーコンディショナ|リアクトル損失

要約(日本語): パワーコンディショナでは，入力の昇圧チョッパ部および出力である交流側にリアクトルが存在し，これらによる損失がシステム全体の効率に多大な影響を及ぼす。そこで，SiC－MOSFETを用いたパワーコンディショナの各リアクトル損失を測定し，システム中の全損失をリアクトル損失とその他の損失に分離した。その結果，2kW動作時ではリアクトル損失が全損失のうちの7割を占めるが，10kW動作では半分にまで下がる。ゆえに，リアクトルの最適化やリアクトル損失低減の工夫によってパワーコンディショナの更なる高効率化の実現が可能である。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 438 Kバイト