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SiC-MOSFETとSi-IGBTを用いた単相PWMインバータの電磁鋼板における鉄損特性のまとめ

SiC-MOSFETとSi-IGBTを用いた単相PWMインバータの電磁鋼板における鉄損特性のまとめ

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-087

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Study for SiC-MOSFET and Si-IGBT on Iron Loss of Inverter-Fed on electrical steel

著者名: 萱森 大介(豊田工業大学),藤崎 敬介(豊田工業大学)

著者名(英語): Daisuke Kayamori(TOYOTA TECHNOLOGICAL INSTITUTE),Keisuke Fujisaki(TOYOTA TECHNOLOGICAL INSTITUTE)

キーワード: 鉄損|インバータ励磁|オン電圧|電磁鋼板|電力用半導体

要約(日本語): 近年,高耐圧,高温動作,低ロス化といった特徴のあるSiCを用いた電力用半導体の研究が進んでいる。しかし,その多くがスイッチング損失や高耐圧や高温動作を生かした電力変換器の高パワー密度化に注目しており,損失の中でも鉄損への影響を評価した事例は少ない。本研究では,SiC-MOSFETのオン電圧が従来のSiを用いたSi-IGBTに対して10分の1ほどである点に着目し,単相PWMインバータのSiC-MOSFETを用いたオン電圧の低いモデルと従来のSiを用いたSi-IGBTによるオン電圧の高いモデルを用意し,電磁鋼板の鉄損評価を行い,オン電圧が鉄損へ与える影響について調査したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 772 Kバイト

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