SiC-SITを用いた直流半導体スイッチの開発?給電ネットワーク対応型試作機の動作検証?

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-096

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): A Development of SiC-SIT DC Switch - Verification Test of SiC-SIT DC Switch prototype for the distribution network -

著者名: 松本 暁(NTTファシリティーズ),三野 正人(NTTファシリティーズ),佐藤之彦 (千葉大学),田中 保宣(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Akira Matsumoto(NTT Facilities),Masato Mino(NTT Facilities),Yukihiko Sato(Chiba University),Yasunori Tanaka(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 半導体遮断器|次世代給電システム|高電圧直流給電システム|次世代型半導体

要約(日本語): 次世代型半導体素子であるSiC-SIT(静電誘導型トランジスタ)を用いて、直流380V給電ネットワーク向けの半導体スイッチを試作した。同スイッチは耐圧1000V程度、定格電流15AのSiC-SIT試作品を正負両極回路に計4箇所配置することで、定格容量5kWの電力を双方向に通電できる構成とした。また、このSiC-SITの特徴であるゲート電圧を変えることでパンチスルー電圧を制御できる特性を活用し、入力側・出力側いずれの方向に短絡事故電流が流れても、マイクロ秒オーダーで高速に電流遮断でき、かつその後の系統電圧変動も抑制可能であることを試験により確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 158 Kバイト