オフ時逆方向ゲート-ソース電圧によるターンオフ時間の改善

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-137

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Improvement of Turn Off Time by Negative Gate-Source Voltage at Off Duration

著者名: 文野 貴司(京都大学),引原 隆士(京都大学)

著者名(英語): Takashi Fumino(Kyoto University),Takashi Hikihara(Kyoto University)

キーワード: 高周波スイッチング|ゲート駆動回路|電力変換回路|パワーMOSFET|ターンオフ|寄生容量

要約(日本語): 近年, 高速なパワーデバイスの使用を想定した高速動作可能な回路設計が必要となっている. スイッチング周波数の上昇により, 配線やパワーデバイスの寄生要素に起因するリンギングが顕著となり, 放射ノイズの発生の原因となる. そのため, ISMバンドの1つである13.56MHzまでスイッチング周波数を上昇させることが対策となり得る.本報告では, MOSFETのターンオフの際, ゲートの電荷を高速に引き抜くために, G-S間のソース側を高電位に電圧調整してスイッチングする. それにより得られた, ターンオフ時間の改善結果について報告する.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 212 Kバイト