ノーマリオン形GaN HEMT用共振形ゲートドライブ回路の実験的検証

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-140

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Experimental Verifications of a Resonant Gate-Drive Circuit for a Normally-On GaN HEMT

著者名: 石橋 卓治(山口大学),平木 英治(山口大学),田中 俊彦(山口大学),岡本 昌幸(宇部工業高等専門学校),橋詰 保(北海道大学),加地 徹(豊田中央研究所)

著者名(英語): Takaharu Ishibashi(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University),Eiji Hiraki(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University),Toshihiko Tanaka(Graduate School of Science and Engineering,Yamaguchi University),Masayuki Okamoto(Ube National College of Technology),Tamotsu Hashizume(Reseach Center for Integrated Quantum Electronics,Hokkaido University,),Tetsu Kachi(Power Electronics Research Div.,TOYOTA CENTRAL R&D LABS.)

キーワード: GaN HEMT|共振形ゲートドライブ回路|ノーマリオン形デバイス|高速スイッチング|低損失化

要約(日本語): 低損失でかつ高速動作が可能な次世代パワーデバイスとしてGaN(Gallium Nitride)デバイスが近年注目を集めている。しかしながら，高周波スイッチング時において，ゲートドライブ回路の消費電力増加が懸念されている。そこで，この問題を解決するために共振形ゲートドライブ回路が提案されている。本論文では，著者らが先に提案したノーマリオン形GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)用共振形ゲートドライブ回路の有用性を実験により確認したので報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 312 Kバイト