GaN-FETを用いた高周波スイッチングPWMインバータの雑音端子電圧に関する基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-141

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Fundamental Investigation of a Conduction Noise of a High-frequency Switching PWM Inverter using GaN-FET

著者名: 荒木 隆宏(長岡技術科学大学),伊東淳一 (長岡技術科学大学)

著者名(英語): Takahiro Araki(Nagaoka University of Technology),Jun-ichi Itoh(Nagaoka University of Technology)

キーワード: ワイドバンドギャップデバイス|PWMインバータ|高周波スイッチング|EMCフィルタ|雑音端子電圧

要約(日本語): 本論文ではGaN-FETを用いてスイッチング周波数300kHzで動作するPWMインバータを試作し，雑音端子電圧の評価とEMCフィルタの検討を行う。試作したインバータの雑音端子電圧はスイッチング周波数及びその高調波でピークが観測されたもののCISPRの規制値以下であり，設計したEMCフィルタの妥当性を確認した。またスイッチング周波数を10kHzから300kHzに高周波化することでEMCフィルタ体積が72%低減される見込みを得た。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 426 Kバイト