SiC適用における電源装置の小型化についての検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-142

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Basic Investigation Regarding Miniaturization of Power Unit Applying Silicon Carbide Devices

著者名: 坪井 彬矩(島根大学),吉国 厚(島根大学),山本 真義(島根大学)

著者名(英語): Akinori Tsuboi(Shimane University),Atsushi Yshikuni(Shimane University),Masayoshi Yamamoto(Shimane University)

キーワード: 昇圧チョッパ回路|小型化

要約(日本語): 近年，新化合物パワー半導体デバイスが注目されている。しかしながら，実際に新材料半導体デバイスを適用することによる電源装置の小型化に着目した定量的な評価は，ほとんど成されていない。そこで，単相昇圧チョッパ回路におけるSiC導入による装置の小型化について，コア体積，冷却体体積の観点から相対比較を行う。評価方法として，Si系デバイスとしてMOSFETとIGBTを，新材料半導体デバイスとしてSiC MOSFETを取り上げ，それらのスイッチング損失，導通損失を算出する。これらの半導体デバイスにおける総損失から冷却体体積を換算する。また，コア体積については既存のコア規格をベースに最適化設計を行うことで導出を行う。最後に，電源システム体積を最小にするスイッチング周波数を明確化する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 569 Kバイト