SiCパワーデバイスを用いたインバータの評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-143

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): Evaluation of The Inverter Using SiC Power Devices

著者名: 山根 昭成(九州工業大学),小柳 佳祐(九州工業大学),小迫 雅裕(九州工業大学),匹田 政幸(九州工業大学)

著者名(英語): Akinari Yamane(Kyushu Institute of Technology),Keisuke Koyanagi(Kyushu Institute of Technology),Masahiro Kozako(Kyushu Institute of Technology),Masayuki Hikita(Kyushu Institute of Technology)

キーワード: SiCパワーデバイス|SiCインバータ|効率

要約(日本語): 現在，インバータなどのパワエレ機器にはSi（シリコン）のパワーデバイスが使用されているが，その性能改善は限界に近いとされている。そこで近年，Siよりも特性が良いSiC（シリコンカーバイド）が注目されている。本稿では，SiC-MOSFETとSiC-SBDを用いたフルSiCインバータの試作を行い，その諸特性についてSiC-MOSFETのみの場合との比較検討を行った。その結果，インバータ効率は出力の増加に伴い低下すること，SiC-SBDを付けることで効率が0.2~0.3%程度向上することが分かった。また，インバータ動作時にはSiC-MOSFETのVGS波形にリンギングが発生していることを確認した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 358 Kバイト