フルSiCモジュールを適用したインバータユニットの開発

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-146

グループ名: 【全国大会】平成25年電気学会全国大会論文集

発行日: 2013/03/05

タイトル(英語): The development of inverter unit with SiC MOSFET modules

著者名: 野村 純一(東芝三菱電機産業システム),高橋 健洋(東芝三菱電機産業システム),葛巻 淳彦(東芝),新明脩平 (東芝)

著者名(英語): Junichi Nomura(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation),Takehiro Takahashi(Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation),Atsuhiko Kuzumaki(Toshiba Corporation),Shuhei Shimmyo(Toshiba Corporation)

キーワード: SiC|フルSiCモジュール|インバータユニット

要約(日本語): 1200V－100AのフルSiCモジュールを適用した単相フルブリッジのインバータユニットを開発した。2in1のモジュールをダイレクトに2並列して1相分のハーフブリッジを構成している。パワー密度は10kHz PWMにて3．0W／cc（1パルスでは4．3W/cc）である。DC750V－400Apの遮断試験を実施し、問題なく電流が遮断できること、および、ダイレクトに2並列したモジュール間の電流バランスが良好であることを確認した。開発したインバータユニットを適用した700kVAクラスのインバータを製品化した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 256 Kバイト