シリコン電子輸送異方性のシミュレーション解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-022

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Simulation Analysis of Anisotropy of Electron Transport in Silicon

著者名: 長田 芳裕(奈良高専)

著者名(英語): Yoshihiro Osada(Nara National College of Technology)

キーワード: シリコン|電子輸送|異方性|シミュレーション

要約(日本語): シリコン中の電子輸送において、ドナー密度依存性および高電界下のシミュレーションができる多粒子モンテカルロ法によるシミュレータを研究開発した。ここでは計算の簡略化と迅速性の観点から解析バンドモデルをもちいた。シミュレーションの結果、電子ドリフト速度に異方性が見られたのでさらに解析を行った。電界の大きさは、77Kで異方性の大きい2kV/cmと異方性の小さい0.2、20kV/cmをもちいた。電界の方向は、方位角を45°に固定して、極角を0°から90°まで変化させて、順次 <001>、<111>、<110>を経るように設定してシミュレーションを行い解析した。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 134 Kバイト