絶縁基板上の絶縁封止用ゲル中沿面放電現象

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-078

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Creeping discharge behavior along silicone gel and ceramic substrate interface

著者名: 佐藤 正寛(東京大学),熊田 亜紀子(東京大学),日高 邦彦(東京大学),山城 啓輔(富士電機),早瀬 悠二(富士電機),高野 哲美(富士電機)

著者名(英語): Masahiro Sato(The University of Tokyo),Akiko Kumada(The University of Tokyo),Kunihiko Hidaka(The University of Tokyo),Keisuke Yamashiro(Fuji Electric Co.,Ltd.),Yuji Hayase(Fuji Electric Co.,Ltd.),Tetsumi Takano(Fuji Electric Co.,Ltd.)

キーワード: 部分放電|ボイド|シリコーンゲル|トリー|沿面放電|パワーモジュール

要約(日本語): パワーモジュールの絶縁封止にはシリコーンゲルが用いられる。先行研究により本絶縁系の弱点は金属電極-基板-ゲルからなる三重点を起点とし、ゲル-基板界面に沿って進展する沿面放電であることが知られている。しかしながら、その進展過程はいまだに不明な点が多い。そこで、絶縁基板上を進展する沿面放電の部分放電パルスと部分放電により生成されるキャビティーの挙動を比較することで、沿面放電現象を評価した。結果、沿面ストリーマはキャビティーのトリー状の部位の中を進展し、そのストリーマヘッドによってキャビティー先端のボイドが帯電すること、正極性のストリーマによる帯電の影響が負極性のそれとくらべて大きいことが示唆された。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 318 Kバイト