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真空中沿面フラッシオーバ進展過程における過渡帯電電荷量と放電進展条件

真空中沿面フラッシオーバ進展過程における過渡帯電電荷量と放電進展条件

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-092

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Transiently-formed Charge and Discharge Development Condition of Surface Flashover Development Process in Vacuum

著者名: 中野 裕介(名古屋大学),小島 寛樹(名古屋大学),土屋 賢治(日立製作所),早川 直樹(名古屋大学)

著者名(英語): Yusuke Nakano(Nagoya University),Hiroki Kojima(Nagoya University),Kenji Tsuchiya(Hitachi,Ltd.),Naoki Hayakawa(Nagoya University)

キーワード: 真空|沿面放電|フラッシオーバ|帯電|アルミナ絶縁物

要約(日本語): 真空遮断器などの真空電力機器の高電圧化,高信頼度化のために,真空中固体絶縁物上の沿面放電現象の解明を目指している.本報告では、陰極の先端曲率半径をパラメータとして、フラッシオーバ(FO)進展過程におけるアルミナ絶縁物上の過渡帯電とFO進展の関係について検討を行った.その結果、過渡帯電量は陰極上の電界によって決まり、陰極曲率半径Rが大きくなるほど電界緩和に要する帯電量が多いことがわかった.また、電流チャネルの形成によるFO進展条件は、電極の幾何形状による絶縁物に入射する垂直方向の電界成分の影響が大きいことがわかった.

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 681 Kバイト

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