NEAダイヤモンド表面を利用したダイオード電子源による超高耐圧真空スイッチ

カテゴリ: 全国大会

論文No: 1-096

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): Ultra High Voltage Vacuum Switch with a Diode Electron Emitter by Using a Diamond NEA Surface

著者名: 竹内 大輔(産業技術総合研究所),小泉 聡(物質,材料研究機構),牧野 俊晴(産業技術総合研究所),加藤宙光 (産業技術総合研究所),小倉 政彦(産業技術総合研究所),大橋 弘通(産業技術総合研究所),大串 秀世(産業技術総合研究所),山崎 聡(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Daisuke Takeuchi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Satoshi Koizumi(National Institute for Materials Science),Toshiharu Makino(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromitsu Kato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Masahiko Ogura(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hiromichi Ohashi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hideyo Okushi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Satoshi Yamasaki(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 真空スイッチ|超高耐圧|負の電子親和力|電子源|ダイヤモンド半導体|PN接合

要約(日本語): 水素終端ダイヤモンドの負の電子親和力（Negative Electron Affinity: NEA）を生かした電子源と真空を組み合わせた新しい真空スイッチの研究開発を進めている。半導体素子では実現困難な程度の超高耐圧高効率小型パワースイッチを実現できる可能性がある。動作原理とともに10kVのスイッチ動作の原理実証に成功したことを報告する。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 332 Kバイト