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パルスレーザー堆積法によるBaO薄膜の成膜

パルスレーザー堆積法によるBaO薄膜の成膜

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カテゴリ: 全国大会

論文No: 2-091

グループ名: 【全国大会】平成26年電気学会全国大会論文集

発行日: 2014/03/05

タイトル(英語): The deposition of BaO films by Pulsed Laser Deposition (PLD)

著者名: 大室 聡(日本大学),鎌田尚馬 (日本大学),胡桃 聡(日本大学),松田 健一(日本大学),鈴木 薫(日本大学)

著者名(英語): satoshi Ohmuro(Nihon University),Syohma Kamada(Nihon University),Satoshi Kurumi(Nihon University),Ken-ichi Matsuda(Nihon University),Kaoru Suzuki(Nihon University)

要約(日本語): 鉄系超伝導体は、低消費エネルギー、高磁界発生等の特性を持つ。しかし、超伝導体を得るためには、高純度な原材料が必要となり、原子一層レベルで成膜を行うといった高度な技術を要する。加えて、純度の高い材料は容易に酸化するため取り扱いが困難である。この問題を解決するため我々は、off-axis電界アシストパルスレーザー堆積法に注目した。この方法で成膜することでドロップレットの減少が期待できる。また、電界印加によってアブレーションプルーム内でOイオンとBaイオンを分離し、基板上にBa単体の成膜が期待できる。この研究で、我々はoff-axis電界アシストパルスレーザー堆積法(EFA-PLD)よってBaOからの酸素除去を試みた。

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 492 Kバイト

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